半導体集積回路(IC)はその機能増加が絶えず求められており、集積度をますます高めていく傾向にあります。この結果、所定の面積からより多くの機能を引き出すために、3D構造デバイスの構築が必要とされ、その利用が増えてきています。3Dへテロデバイスとは、3Dへテロジニアスデバイスインテグレーション(3 Dimension Heterogenous Device Integration)のことで、異種デバイスを縦に積み上げて一体化する事を指します。それを達成するためには、半導体材料・化学品・製造装置・半導体デバイスのそれぞれのメーカーによる協力・協業が不可欠になっています。本研究会はこうした半導体産業を活性化し、発展に寄与できるようにするために設立されました。